快科技8月3日消息，作為當前全球最先進的晶片生產企業，台積電成為半導體競爭的核心，原本台積電計劃把尖端工藝留在本土生產，但是這兩年形勢變化很大，被當作殺手鐧的2nm及1.6nm工藝也要轉向美國生產。
隨著全球半導體格局轉變，原本無意在美國建廠的台積電在2020年首次宣布赴美生產，在美國亞利桑那州建設了第一座晶圓廠，工藝水平在4nm級別，目前已經投產，AMD等多家客戶表態要使用美國工廠生產。
相比本土生產，台積電美國工廠的成本會更高，AMD CEO蘇姿豐最近提到成本會高出5%到20%左右。
台積電第一座美國晶圓廠的工藝跟當前的工藝水平相差1-2代，但是隨著後續的發展，台積電也在把最先進的工藝轉移到美國生產，第二座晶圓廠將生產3nm工藝，之前計劃於2026年開始量產，現在已經推遲到了2028年。
後續的建廠計劃也不會止步於此，2028年還會再建第三座晶圓廠F21 P3，同時還會有配套的先進封裝工廠，使用SoIC及CoPos封裝技術，當前台積電在美國生產的先進工藝晶片還需要運回本土封裝，等配套工廠完工後可以在美國工廠實現生產封裝一條龍。
第三座工廠的工藝也會大幅升級到2nm（N2）及A16，後者就是之前1.6nm工藝的正式名稱，工藝水平跟台積電本土趨於一致，意味著核心技術也不得不外流到美國。
未來還有第四座晶圓廠，初期工藝跟P3工廠一致，但保留後期升級的可能，意味著有比A16更先進的工藝在美國生產，很大可能就是再下一代的A14工藝，等效1.4nm級別的。
官網信息顯示，與台積電領先業界的N2製程相比，A14將在相同功耗下，提升達15%的速度；或在相同速度下，降低達30%的功率，同時邏輯密度增加超過20%。
至於A16工藝，相較於台積電公司的N2P製程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，晶片密度提升高達1.10倍，特別適用於具有複雜訊號線路和高密度供電線路的高性能計算（High-Performance Computing，HPC）產品。
