快科技9月9日消息,據報道,美國政府正在考慮將三星和 SK 海力士的中國晶圓廠的設備進口許可改為年度許可證。
這一改動將明顯增加監管複雜性,但至少可以保持晶圓廠運營的連續性。
此前,三星和SK海力士享有經過驗證的最終用戶(VEU)身份,能夠基於事先遵守美國措施,獲得進口受限晶圓廠設備的全面批准,從而大大簡化了運營流程,這些許可將在今年年底到期。
前不久有報道稱美國已將英特爾、SK海力士和三星從該計劃中移除。
而美國商務部最近向韓國官員提出了一個「場地許可證」模式以取代VEU,根據這一模式,三星和SK海力士每年需要申請一次,以獲得一組固定設備和材料的許可,並提前指定數量。
美國的相關限制涉及用於製造16nm及更先進節點的FinFET電晶體邏輯晶片、半間距為18nm的DRAM以及128層及以上3D NAND閃存的美國工具。
這些限制始於2022年,英特爾、三星、SK海力士和台積電此前獲得了豁免,以簡化其在中國的晶圓廠運營。
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