三星2nm工藝細節公布：能效提升8% 良品率不足60%

11月18日消息，據媒體報道，三星電子首次公布2nm工藝量產進展及技術指標：相較3nm製程，新工藝實現性能提升5%、能效優化8%、晶片面積縮減5%。

儘管提升幅度低於業界預測，但標誌著GAA（全環繞柵極）電晶體架構在更先進節點的持續演進。

據悉，三星首款採用2nm工藝的SoC為自研Exynos 2600，傳聞當前良品率介於50%-60%。該晶片的量產效能將直接驗證三星代工技術實力，尤其在高難度10nm以下製程中，良品率突破已成為爭奪客戶的核心競爭力。

目前，全球晶圓代工市場主要由台積電占據，市場份額70.2%額穩居第一。雖然三星排在第二，但是市場占有率僅為7.3%，相差了接近十倍。

三星已經為晶圓代工業務設定新目標，希望通過提高2nm工藝的良品率以及與利潤豐厚的客戶建立長期業務關係，在兩年內實現盈利，並占據20%的市場份額。