鎧俠、閃迪尋求合作：計劃在美國建設NAND晶圓廠

11月28日消息，據行業消息透露，存儲巨頭鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）正評估在美國新建NAND閃存製造廠的可能性，此舉被視為響應美日兩國政府強化半導體供應鏈本土化的戰略要求。

目前鎧俠-閃迪聯盟的NAND晶圓廠均位於日本境內（四日市與北上市），而全球近90%的NAND產能集中於東亞地區。

值得注意的是，三星電子、SK海力士及美光三大存儲原廠此前公布的美國建廠計劃均未涉及NAND業務，使得此次潛在動向更具戰略意義。

然而在美建廠面臨顯著風險，台積電亞利桑那州項目便是前車之鑑：2020年5月宣布的鳳凰城工廠直至2021年4月方正式動工，實際量產時間較原計劃大幅延後，凸顯美國本土半導體製造面臨的工程管理、人才供給等系統性挑戰。

行業分析指出，即便鎧俠與閃迪最終推進美國建廠計劃，從選址決策到設備調試至少需3-5年周期。這意味著未來兩至三年內，全球NAND閃存供應格局將維持現有態勢，新建工廠短期內難以對市場產生實質性影響。