三星電子整合HBM技術路線 核心團隊併入DRAM開發體系

11月28日消息，據媒體報道，三星電子近期對其高帶寬存儲器（HBM）開發團隊進行了組織調整，撤銷原隸屬於半導體業務DS部門下的HBM開發團隊，相關人員整體併入DRAM開發室。這一變動引發市場對三星HBM業務推進節奏與內部協同效率的關注。

在調整安排上，原HBM團隊成員將轉入DRAM開發室下屬的設計團隊，繼續負責下一代HBM產品與技術研發。此前主導HBM團隊的孫永洙被任命為設計團隊負責人，統籌相關項目推進。

接下來，團隊將聚焦HBM4、HBM4E等新產品的設計優化與工藝驗證。三星預計本周完成組織調整，並於下月初召開全球戰略會議，審議明年業務規劃。

業務方面，三星近年來持續加大HBM領域投入，已與英偉達、AMD、OpenAI、博通等多家科技企業建立合作。公司以HBM3與HBM3E的量產經驗為基礎，持續提升堆疊封裝、帶寬、能效及可靠性等核心能力。韓國媒體分析認為，將HBM開發整合進DRAM體系，有助於在製程演進、設計驗證與量產導入環節形成更緊密的協同。

從市場競爭來看，三星在今年第二季度全球HBM市場中的排名曾下滑至第三，面臨階段性競爭壓力。公司預計，隨著HBM4供應規模逐步擴大，其市場份額有望自明年起回升。

據TrendForce預測，到2026年，三星在全球HBM市場的占有率有望突破30%，這也為其強化先進存儲布局提供了信心支撐。

行業觀察人士指出，HBM作為支撐人工智慧訓練、推理及高性能計算的關鍵存儲部件，已成為存儲廠商競相布局的戰略要地。三星通過將HBM團隊整合至DRAM開發體系，有望提升資源統籌與技術疊代效率，增強在高端存儲市場的競爭力。