SK海力士加速推进超300层V10 NAND闪存 目标2027年量产

12月9日消息，据Trendforce报道，SK海力士确认将于2027年初量产第十代V10 NAND闪存，核心突破在于首次采用300+层堆叠架构并集成混合键合技术（Hybrid Bonding）。

该技术通过将存储阵列晶圆与外围电路晶圆分别制造后垂直键合，形成单一高性能单元，显著提升产品良率、数据传输效率及生产效益。

此举颠覆了行业技术路线预期——此前业界普遍认为混合键合技术需至400层堆叠阶段才会启用。

SK海力士选择在300层节点提前商业化部署，旨在加速确立存储技术领导地位，应对AI及数据中心市场对高密度闪存的迫切需求。

同步披露的产能动态显示，受企业级固态硬盘（eSSD）需求激增驱动，其第九代NAND闪存产线已接近满载。SK海力士正积极扩大现有产品供应规模，为下一代技术量产前的市场过渡期提供支撑。