12月22日消息,据报道,韩国两大存储芯片巨头三星与SK海力士正加快内存生产,以应对来自AI的需求。
报道称,三星电子近期不仅提升了韩国国内DRAM和NAND闪存的产线利用率,更重点扩大了高带宽内存(HBM)等高端产品的产出。
另外三星在11月决定平泽五厂恢复施工,预定2028年开始量产,以强化该公司的满足先进存储芯片需求的能力。
至于SK海力士,其位于清州的M15X新厂正紧锣密鼓准备投产,该厂将聚焦于DRAM和其他AI导向的存储产品。
业界高层表示,SK海力士正试图赶在原定的2027年前,完成位于龙仁半导体园区内的首座晶圆厂,该设施规模相当于六座M15X晶圆厂。
由于AI相关需求预期在未来几年持续激增,产能被视为竞争力的关键决定因素,根据Omdia的数据,全球DRAM市场规模预计在2026年前达到1700亿美元,高于2024年的1000亿美元。
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快科技
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