美光紐約克萊項目建設延遲：首座晶圓廠 2026Q2 動工、2030Q3 完成

11 月 10 日消息，Micron 美光計劃在美國紐約州克萊 (Clay) 建設四座大型 DRAM 內存晶圓廠以滿足美國本地對存儲半導體供應日益增長的需求。不過根據本月 5 日公布的最終環境影響聲明，該項目的建設速度有所放緩。

儘管美光的前置準備（本季度啟動初步場地準備）和最終目標（所有晶圓廠 2041 年完工、2045 年底全面投產）都沒有發生改變，但四座設施的具體施工起始時間均有一定程度的延後：

• Fab 1：原計劃 2025Q4 動工、2028Q2 末完工；現計劃 2026Q2 動工、2030Q3 完工。

• Fab 2：原計劃 2028Q3 動工、2030Q4 完工；現計劃 2030Q4 動工、2033Q4 完工。

• Fab 3：原計劃 2033Q3 動工；現計劃 2035Q3 動工。

• Fab 4：相較原計劃延遲一個季度。

而由於整體晶圓廠建設進度的延後，配套託兒所、醫療和娛樂中心的施工啟動時間也安排到更晚。

IT之家注意到，美光在今年 6 月與美國政府達成的新版《CHIPS》法案協議中調整了在美 DRAM 產能建設順序，將克萊園區的優先級置於總部愛達荷州博伊西的第二新晶圓廠之後。